华为入股的山东天岳怎么改善高纯碳化硅粉组成办法

【嘉德点评】天岳的该创造选用两次组成法，克服了单次反响不彻底、不均匀的缺陷，不光可以使得初度组成时剩下碳和硅的单质彻底反响，且可以运用二次组成时的高温有用取出碳粉和硅粉中带着的大部分杂质元素。

集微网音讯，前不久华为旗下的哈勃科技出资了以碳化硅为首要事务的山东天岳公司，并占股10%，由此可见华为正在活跃布局以碳化硅为代表的新一代半导体技能。

碳化硅作为当时炙手可热的半导体资料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大，稳定性高级长处，正在逐渐运用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及比如5G通讯、物联网等微波通讯范畴，具有宽广的运用远景。在实践的工业化出产的悉数进程中，碳化硅粉料的纯度在进步法成长半导体碳化硅单晶时具有及其重要的效果，直接影响着成长单晶的结晶质量和电学性质。当时碳化硅粉料的组成办法最重要的包括有机组成法、自延伸法和Acheson法，这三种办法都存在杂质含量较多、处理进程杂乱等问题，因而怎么改善现有办法的缺陷成为行业界竞相研讨的热门。

早在2008年6月4日，山东天岳公司团队就供给了一项名为“用于半导体单晶成长的高纯碳化硅粉的人工组成办法”的创造专利（请求号：200810016665.6），请求人为山东大学。

此专利首要针对传统Acheson法组成碳化硅粉料存在的缺乏，供给了一种能取得高产率的用于半导体单晶成长的高纯度碳化硅粉的人工组成办法。

首要依照摩尔比1：1份额取出浓度大于99.9%，粒度小于500微米的硅粉和碳粉，然后进行两次组成。在初度组成过程中，将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中，再将坩埚置于中频感应加热炉，并对加热炉的成长室抽真空，除掉其间的氧气和氮气，一起将温度升高至1000摄氏度。然后向成长室中充入高纯度的氩气、氦气和氢气的混合气体，加热至1500摄氏度，坚持反响时刻15分钟，然后降至室温，最终将反响后的产品中大于1厘米的聚会物碾成小于1毫米的粉末。

在二次组成过程中，将上述产品粉末混合均匀从头放入坩埚，并将坩埚再次置于中频感应加热炉，抽真空环境，升高温度到1000摄氏度，通入氩气、氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度，坚持反响组成时刻2小时到10小时，再降至室温。经过这两步即可以取得粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶成长的高纯碳化硅粉，选用粉末衍射法（XRD）对初度组成和二次组成产品进行物相剖析，得到的XRD如图1所示，经过剖析可以发现初度组成粉末有硅和碳的单质剩下，而二次组成则可以使得反响愈加彻底，得到纯度更高的碳化硅。

图1 初度组成和二次组成产品的XRD图

本创造选用两次组成法，克服了单次反响不彻底、不均匀的缺陷，不光可以使得初度组成时剩下碳和硅的单质彻底反响，且可以运用二次组成时的高温有用取出碳粉和硅粉中带着的大部分杂质元素。在第一次组成时大部分碳和硅现已反响生成了碳化硅，不会导致高温硅的丢失，确保组成产率的基础上，使得组成粉料的纯度得到了进步。

在未来要运用高频、大功率的射频微波和其他相关范畴，碳化硅以其优势占有重要位置，信任跟着国内优异的半导体公司不断涌现，我国的半导体工业必定可以继续创新和打破，完成我国科技硬实力的稳步提高。